La aplicación es un manual gratuito completo de Mos ICs And Technology que cubre temas importantes, notas y materiales del curso.
La App está diseñada para un rápido aprendizaje, repasos, referencias a la hora de exámenes y entrevistas.
Esta aplicación cubre la mayoría de los temas relacionados y una explicación detallada con todos los temas básicos.
Cubre 114 temas de MOS ICs & Technology en detalle. Estos 114 temas se dividen en 8 unidades
Algunos de los temas cubiertos en esta aplicación son:
1. Ley de Moore.
2. Comparación de tecnologías disponibles
3. Transistores MOS básicos
4. Modo de mejora Acción del transistor:
5. Fabricación de NMOS:
6. Fabricación de CMOS - PROCESO P-WELL
7. PROCESO de fabricación CMOS-N-WELL:
8. Proceso de fabricación CMOS-Twin-tub
9. Tecnología Bi-CMOS: - (CMOS bipolar):
10. Producción de máscaras de haz de electrones
11. Introducción al transistor MOS
12. Relación entre Vgs e Ids, para un Vds fijo
13. Ecuaciones MOS (ecuaciones DC básicas):
14. Efectos de segundo orden
15. CARACTERÍSTICAS DEL INVERSOR CMOS
16. Características de CC del inversor
17. Derivación gráfica de las características de CC del inversor
18. Margen de ruido
19. Inversores MOS de carga estática
20. Puertas de transmisión
21. Inversor triestado
22. Diagramas de barras: codificaciones para el proceso NMOS
23. Codificaciones para proceso CMOS
24. Codificación para BJT y MOSFET
25. Estilo de diseño NMOS y CMOS
26. Reglas de diseño - MOS IC y tecnología
27. Vía
28. Reglas de diseño basadas en CMOS lambda
29. Proceso CMOS de órbita 2um
30. Estimación de resistencias.
31. Resistencia de lámina de transistores mos
32. Estimación de capacitancia
33. Retraso
34. Retrasos del inversor
35. Estimación formal de la demora
36. Conducción de gran carga capacitiva
37. Valor óptimo de f
38. Súper tampón
39. Conductores de Bicmos
40. Retraso de propagación
41. Otras fuentes de capacitancia
42. Elección de capas
43. Escalado de la mayoría de los dispositivos
44. Diseño físico básico una descripción general
45. Diseño físico básico una descripción general
46. Esquema y diseño de puertas básicas-Puerta Inverter
47. Esquema y diseño de puertas básicas-NAND y NOR Gate
48. Puerta de transmisión
49. Diseño de celda estándar CMOS
50. Optimización del diseño para el rendimiento
51. Pautas generales de diseño
52. Lógica BICMOS
53. Lógica pseudonmos
54. Otras variaciones de pseudo nmos: lógica de drenaje múltiple y lógica agrupada
55. Otras variaciones de pseudo nmos- Lógica dinámica de cmos
56. Otras variaciones de pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. Lógica dominó CMOS
58. Lógica de interruptor de voltaje en cascada
59. Lógica de transistor de paso
60. Estructuras de circuitos lógicos de tecnología CMOS
61. Escalado de circuitos MOS
62. Escalamiento tecnológico
63. Hoja de ruta tecnológica internacional para semiconductores (ITRS)
64. Modelos de escala y factores de escala para parámetros de dispositivos
65. Implicaciones del escalado
66. Problemas de interconexión
67. Radio alcanzable
68. Potencia dinámica y estática
69. Productividad y límites físicos
70. Limitaciones de la escala
71. Dopaje de sustrato
72. Ancho de agotamiento
73. Límites de la miniaturización
74. Límites de interconexión y resistencia de contacto
75. Límites por corrientes subumbrales
76. Límites por corrientes subumbrales
77. Sistema
78. Flujo de diseño VLSI
79. 3 Enfoque de diseño estructurado
80. Regularidad
81. MOSFET como interruptor
82. Conexión en paralelo y en serie de interruptores
83. INVERSOR CMOS
84. Diseño de puerta NAND
85. Diseño de puerta NOR
86. Propiedades CMOS
87. Puertas complejas
88. Puertas complejas AOI
No se enumeran todos los temas debido a limitaciones de caracteres.
Cada tema se completa con diagramas, ecuaciones y otras formas de representaciones gráficas para un mejor aprendizaje y una rápida comprensión.
Características :
* Capítulo sabio temas completos
* Diseño de interfaz de usuario enriquecido
* Modo de lectura cómodo
* Temas importantes del examen
* Interfaz de usuario muy simple
* Cubre la mayoría de los temas
* Un clic para obtener todo el libro relacionado
Esta aplicación será útil para una referencia rápida. La revisión de todos los conceptos se puede terminar en varias horas usando esta aplicación.
En lugar de darnos una calificación más baja, envíenos sus consultas, problemas y envíenos una valiosa calificación y sugerencia para que podamos considerarlo para futuras actualizaciones. Estaremos encantados de resolverlos por usted.
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Esta aplicación cubre la mayoría de los temas relacionados y una explicación detallada con todos los temas básicos.
Cubre 114 temas de MOS ICs & Technology en detalle. Estos 114 temas se dividen en 8 unidades
Algunos de los temas cubiertos en esta aplicación son:
1. Ley de Moore.
2. Comparación de tecnologías disponibles
3. Transistores MOS básicos
4. Modo de mejora Acción del transistor:
5. Fabricación de NMOS:
6. Fabricación de CMOS - PROCESO P-WELL
7. PROCESO de fabricación CMOS-N-WELL:
8. Proceso de fabricación CMOS-Twin-tub
9. Tecnología Bi-CMOS: - (CMOS bipolar):
10. Producción de máscaras de haz de electrones
11. Introducción al transistor MOS
12. Relación entre Vgs e Ids, para un Vds fijo
13. Ecuaciones MOS (ecuaciones DC básicas):
14. Efectos de segundo orden
15. CARACTERÍSTICAS DEL INVERSOR CMOS
16. Características de CC del inversor
17. Derivación gráfica de las características de CC del inversor
18. Margen de ruido
19. Inversores MOS de carga estática
20. Puertas de transmisión
21. Inversor triestado
22. Diagramas de barras: codificaciones para el proceso NMOS
23. Codificaciones para proceso CMOS
24. Codificación para BJT y MOSFET
25. Estilo de diseño NMOS y CMOS
26. Reglas de diseño - MOS IC y tecnología
27. Vía
28. Reglas de diseño basadas en CMOS lambda
29. Proceso CMOS de órbita 2um
30. Estimación de resistencias.
31. Resistencia de lámina de transistores mos
32. Estimación de capacitancia
33. Retraso
34. Retrasos del inversor
35. Estimación formal de la demora
36. Conducción de gran carga capacitiva
37. Valor óptimo de f
38. Súper tampón
39. Conductores de Bicmos
40. Retraso de propagación
41. Otras fuentes de capacitancia
42. Elección de capas
43. Escalado de la mayoría de los dispositivos
44. Diseño físico básico una descripción general
45. Diseño físico básico una descripción general
46. Esquema y diseño de puertas básicas-Puerta Inverter
47. Esquema y diseño de puertas básicas-NAND y NOR Gate
48. Puerta de transmisión
49. Diseño de celda estándar CMOS
50. Optimización del diseño para el rendimiento
51. Pautas generales de diseño
52. Lógica BICMOS
53. Lógica pseudonmos
54. Otras variaciones de pseudo nmos: lógica de drenaje múltiple y lógica agrupada
55. Otras variaciones de pseudo nmos- Lógica dinámica de cmos
56. Otras variaciones de pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. Lógica dominó CMOS
58. Lógica de interruptor de voltaje en cascada
59. Lógica de transistor de paso
60. Estructuras de circuitos lógicos de tecnología CMOS
61. Escalado de circuitos MOS
62. Escalamiento tecnológico
63. Hoja de ruta tecnológica internacional para semiconductores (ITRS)
64. Modelos de escala y factores de escala para parámetros de dispositivos
65. Implicaciones del escalado
66. Problemas de interconexión
67. Radio alcanzable
68. Potencia dinámica y estática
69. Productividad y límites físicos
70. Limitaciones de la escala
71. Dopaje de sustrato
72. Ancho de agotamiento
73. Límites de la miniaturización
74. Límites de interconexión y resistencia de contacto
75. Límites por corrientes subumbrales
76. Límites por corrientes subumbrales
77. Sistema
78. Flujo de diseño VLSI
79. 3 Enfoque de diseño estructurado
80. Regularidad
81. MOSFET como interruptor
82. Conexión en paralelo y en serie de interruptores
83. INVERSOR CMOS
84. Diseño de puerta NAND
85. Diseño de puerta NOR
86. Propiedades CMOS
87. Puertas complejas
88. Puertas complejas AOI
No se enumeran todos los temas debido a limitaciones de caracteres.
Cada tema se completa con diagramas, ecuaciones y otras formas de representaciones gráficas para un mejor aprendizaje y una rápida comprensión.
Características :
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